Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A 4.2A

Turn Off Delay Time

28.2 ns

Number of Elements

4

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMHC3025LSD

参考标准

AEC-Q101

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

7.5 ns

场效应管类型

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

590pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.7nC @ 10V

上升时间

4.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

13.5 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.7mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅