Diodes Incorporated DMC3025LSD-13

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A 4.2A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

28.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

DMC3025

参考标准

AEC-Q101

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

6.8 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 7.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

501pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.8nC @ 10V

上升时间

4.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

12.4 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.3A

漏源击穿电压

-30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅