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首页 全部分类 DMN10H220LE-13 vs BSP322PL6327HTSA1

DMN10H220LE-13备选型号: BSP322PL6327HTSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220LE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    DMN10H22
    AEC-Q101
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    401pF @ 25V
    8.3nC @ 10V
    8.2ns
    100V
    ±20V
    3.6 ns
    2.3A
    20V
    0.22Ohm
    8A
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP322PL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.6 ns
    P-Channel
    -
    800mOhm @ 1A, 10V
    1V @ 380μA
    372pF @ 25V
    16.5nC @ 10V
    4.3ns
    100V
    ±20V
    8.3 ns
    1A
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    PG-SOT223-4
    SIPMOS®
    150°C
    -55°C
    1.8W
    372pF
    800 mΩ
    无
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