您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMN10H220LE-13 vs PMT200EN,115

DMN10H220LE-13备选型号: PMT200EN,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 引脚数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220LE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    DMN10H22
    AEC-Q101
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    401pF @ 25V
    8.3nC @ 10V
    8.2ns
    100V
    ±20V
    3.6 ns
    2.3A
    20V
    0.22Ohm
    8A
    100V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMT200EN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
    -
    -
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    -
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    -
    235m Ω @ 1.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    475pF @ 80V
    10nC @ 10V
    -
    100V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    4
    1.8A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSP322PL6327HTSA1 BSP322PL6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比
PMT200EN,115 PMT200EN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 对比
PMT200EN,135 PMT200EN,135 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 对比