DMN10H220LE-13备选型号: ZXMP7A17GQTA
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT22322 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2014e3活跃1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼DMN10H22AEC-Q101R-PDSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN6.8 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 1.6A, 10V2.5V @ 250μA401pF @ 25V8.3nC @ 10V8.2ns100V±20V3.6 ns2.3A20V0.22Ohm8A100VROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT22315 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3SILICON2.6A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2015e3活跃1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼ZXMP7A17-R-PDSO-G4-增强型MOSFETDRAIN2.5 nsP-ChannelSWITCHING160m Ω @ 2.1A, 10V1V @ 250μA635pF @ 40V18nC @ 10V3.4ns70V±20V8 ns2.6A20V-9.6A-ROHS3 Compliant-7.994566mg260not_compliant3041Single-70V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP322PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 | |
| PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |




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