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DMN2016LHAB-7备选型号: DMN2014LHAB-7

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LHAB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    U-DFN2030-6
    7.5A
    2013
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.2W
    2
    Dual
    6.9 ns
    1.2W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    15.5mOhm @ 4A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1550pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    15.5ns
    20V
    12 ns
    7.5A
    12V
    20V
    1.55nF
    逻辑电平门
    30mOhm
    15.5 mΩ
    600μm
    2.05mm
    3.05mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2014LHAB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    7
    -
    9A
    2015
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    800mW
    -
    -
    6.9 ns
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    13m Ω @ 4A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1550pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    15.5ns
    20V
    12 ns
    9.3A
    12V
    -
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    600μm
    3.05mm
    2.05mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    e4
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    260
    30
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