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首页 全部分类 DMN2046U-7 vs IRLML2244TRPBF

DMN2046U-7备选型号: IRLML2244TRPBF

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  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 引脚数
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2046U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
    23 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    760mW Ta
    2015
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.4V @ 250μA
    292pF @ 10V
    3.8nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    3.4A
    0.072Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2244TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    12 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    4.3A Ta
    2011
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 4.3A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    570pF @ 16V
    6.9nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    4.3A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    HEXFET®
    95MOhm
    Single
    1.3W
    7 ns
    12ns
    25 ns
    -1.1V
    12V
    -20V
    32 ns
    -1.1 V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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