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首页 全部分类 DMTH6010LPDQ-13 vs BSC110N06NS3GATMA1

DMTH6010LPDQ-13备选型号: BSC110N06NS3GATMA1

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  • 箱体转运
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
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  • 端子位置
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMTH6010LPDQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
    23 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.8W
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    11m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2615pF @ 30V
    40.2nC @ 10V
    60V
    47.6A
    13.1A
    0.016Ohm
    90A
    60V
    20 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC110N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    50A Tc
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 50A, 10V
    -
    2700pF @ 30V
    33nC @ 10V
    -
    50A
    -
    -
    200A
    -
    22 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    4V @ 23μA
    no
    DUAL
    不合格
    2.5W
    10 ns
    无卤素
    77ns
    ±20V
    6 ns
    12V
    60V
    not_compliant
    含铅
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