Diodes Incorporated DMTH6010LPDQ-13

工厂交货时间

23 Weeks

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.1A Ta 47.6A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2016

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

2.8W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2615pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40.2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

47.6A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.016Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant