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首页 全部分类 DMTH6010LPDQ-13 vs DMT6009LK3-13

DMTH6010LPDQ-13备选型号: DMT6009LK3-13

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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 端子位置
  • 参考标准
  • Vgs（最大值）
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    DMTH6010LPDQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
    23 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.8W
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    11m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2615pF @ 30V
    40.2nC @ 10V
    60V
    47.6A
    13.1A
    0.016Ohm
    90A
    60V
    20 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT6009LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
    23 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    -
    1925pF @ 30V
    33.5nC @ 10V
    60V
    57A
    13.3A
    0.01Ohm
    90A
    60V
    20.6 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2V @ 250μA
    SINGLE
    AEC-Q101
    ±16V
    not_compliant
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