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首页 全部分类 DN2625DK6-G vs DMN6040SFDE-7

DN2625DK6-G备选型号: DMN6040SFDE-7

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  • 晶体管应用
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microchip Technology
    DN2625DK6-G
    Microchip Technology
    MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    37.393021mg
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tray
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    3.5Ohm
    哑光锡
    低阈值
    无铅
    260
    40
    R-PDSO-N8
    不合格
    2
    250V
    Dual
    11A
    DRAIN
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 1A, 0V
    1000pF @ 25V
    7.04nC @ 1.5V
    20ns
    20 ns
    1.1A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN6040SFDE-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    无铅
    260
    40
    S-PDSO-N3
    -
    1
    -
    -
    -
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 4.3A, 10V
    1287pF @ 25V
    22.4nC @ 10V
    8.1ns
    4 ns
    5.3A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6
    yes
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.03W
    3V @ 250μA
    ±20V
    0.038Ohm
    60V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无SVHC
    无铅
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