Microchip Technology DN2625DK6-G

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

质量

37.393021mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tray

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.5Ohm

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低阈值

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-N8

资历状况

不合格

通道数量

2

电压

250V

元素配置

Dual

电流

11A

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 1A, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.04nC @ 1.5V

上升时间

20ns

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

1.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

耗尽模式

RoHS状态

ROHS3 Compliant