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首页 全部分类 DN2625DK6-G vs NTMFS6B14NT1G

DN2625DK6-G备选型号: NTMFS6B14NT1G

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  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • 无铅
  • Microchip Technology
    DN2625DK6-G
    Microchip Technology
    MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    37.393021mg
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tray
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    3.5Ohm
    哑光锡
    低阈值
    无铅
    260
    40
    R-PDSO-N8
    不合格
    2
    250V
    Dual
    11A
    DRAIN
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 1A, 0V
    1000pF @ 25V
    7.04nC @ 1.5V
    20ns
    20 ns
    1.1A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS6B14NT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    -
    10A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Single
    -
    -
    9.6 ns
    N-Channel
    -
    15m Ω @ 20A, 10V
    1300pF @ 50V
    20nC @ 10V
    39ns
    6.8 ns
    50A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5
    yes
    not_compliant
    4V @ 250μA
    ±20V
    4V
    100V
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
    无铅
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