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首页 全部分类 ECH8663R-TL-H vs IRL6342TRPBF

ECH8663R-TL-H备选型号: IRL6342TRPBF

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  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    ECH8663R-TL-H
    ON Semiconductor
    In a Pack of 25, ECH8663R-TL-H Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin ECH ON Semiconductor
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    4.2 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    8
    Dual
    1.5W
    320 ns
    2 N-Channel (Dual)
    20.5m Ω @ 4A, 4.5V
    无卤素
    12.3nC @ 4.5V
    850ns
    30V
    1.8 μs
    8A
    12V
    30V
    逻辑电平门
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
    -
    15 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    2.5W
    6 ns
    N-Channel
    14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V
    -
    11nC @ 4.5V
    12ns
    -
    14 ns
    9.9A
    12V
    30V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    14.6MOhm
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    1.1V @ 10μA
    1025pF @ 25V
    ±12V
    1.1V
    79A
    1.1 V
    无SVHC
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