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首页 全部分类 ECH8663R-TL-H vs IRL6372PBF

ECH8663R-TL-H备选型号: IRL6372PBF

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    ECH8663R-TL-H
    ON Semiconductor
    In a Pack of 25, ECH8663R-TL-H Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin ECH ON Semiconductor
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    4.2 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    8
    Dual
    1.5W
    320 ns
    2 N-Channel (Dual)
    20.5m Ω @ 4A, 4.5V
    无卤素
    12.3nC @ 4.5V
    850ns
    30V
    1.8 μs
    8A
    12V
    30V
    逻辑电平门
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6372PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
    -
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    -
    Dual
    2W
    5.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
    -
    11nC @ 4.5V
    13ns
    30V
    15 ns
    8.1A
    12V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    17.9MOhm
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    30
    IRL6372PBF
    不合格
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    1.1V @ 10μA
    1020pF @ 25V
    1.1V
    65A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    20 ns
    1.1 V
    无SVHC
  • 添加型号
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