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首页 全部分类 ECH8663R-TL-H vs IRLTS6342TRPBF

ECH8663R-TL-H备选型号: IRLTS6342TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    ECH8663R-TL-H
    ON Semiconductor
    In a Pack of 25, ECH8663R-TL-H Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin ECH ON Semiconductor
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    4.2 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    8
    Dual
    1.5W
    320 ns
    2 N-Channel (Dual)
    20.5m Ω @ 4A, 4.5V
    无卤素
    12.3nC @ 4.5V
    850ns
    30V
    1.8 μs
    8A
    12V
    30V
    逻辑电平门
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLTS6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    2W
    5.4 ns
    N-Channel
    17.5m Ω @ 8.3A, 4.5V
    -
    11nC @ 4.5V
    11ns
    -
    15 ns
    8.3A
    12V
    30V
    -
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    6
    17.5MOhm
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    1.1V @ 10μA
    1010pF @ 25V
    ±12V
    20 ns
    -400 mV
    无SVHC
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