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首页 全部分类 EFC6601R-TR vs IRF7809AVTRPBF

EFC6601R-TR备选型号: IRF7809AVTRPBF

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  • 端子位置
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  • 行间距
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC6601R-TR
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mO
    13 Weeks
    表面贴装
    6-XFBGA, FCBGA
    6
    68.407399mg
    53 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2W
    6
    Dual
    280 ns
    2 N-Channel (Dual)
    无卤素
    48nC @ 4.5V
    630ns
    24V
    47 μs
    13A
    12V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    11.5mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7809AVTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    13.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    14 ns
    N-Channel
    -
    62nC @ 5V
    36ns
    -
    10 ns
    13.3A
    12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    9MOhm
    30V
    DUAL
    鸥翼
    13.3A
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    9m Ω @ 15A, 4.5V
    1V @ 250μA
    3780pF @ 16V
    ±12V
    1V
    30V
    30V
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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