ON Semiconductor EFC6601R-TR
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EFC6601R-TR
1807-EFC6601R-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-XFBGA, FCBGA
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Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mO
--最小包装量--
EFC6601R-TR详情
ON Semiconductor EFC6601R-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFBGA, FCBGA
引脚数
6
质量
68.407399mg
Turn Off Delay Time
53 μs
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
2W
引脚数量
6
元素配置
Dual
接通延迟时间
280 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
无卤素
无卤素
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 4.5V
上升时间
630ns
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
47 μs
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
场效应管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电阻
11.5mOhm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
EFC6601R-TR拓展信息











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