我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
EFC6601R-TR备选型号: ECH8651R-TL-H
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 无卤素
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mO13 Weeks表面贴装6-XFBGA, FCBGA668.407399mg53 μs150°C TJTape & Reel (TR)2007yes活跃1 (Unlimited)EAR992W6Dual280 ns2 N-Channel (Dual)无卤素48nC @ 4.5V630ns24V47 μs13A12VLogic Level Gate, 2.5V Drive11.5mOhmROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH88 Weeks表面贴装8-SMD, Flat Lead8-4 μs150°C TJTape & Reel (TR)2012yesObsolete1 (Unlimited)EAR991.4W8Dual300 ns2 N-Channel (Dual)无卤素24nC @ 10V1μs24V2.5 μs10A12V逻辑电平门-符合RoHS标准无铅e6Tin/Bismuth (Sn/Bi)ECH8651R1.4W1.5W14m Ω @ 5A, 4.5V24V900μm2.9mm2.3mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7809AVTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC | 对比 |
 | ECH8693R-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R | 对比 |
| ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | 对比 |
哦! 它是空的。