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首页 全部分类 EFC6601R-TR vs ECH8693R-TL-W

EFC6601R-TR备选型号: ECH8693R-TL-W

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  • 终止次数
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    EFC6601R-TR
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mO
    13 Weeks
    表面贴装
    6-XFBGA, FCBGA
    6
    68.407399mg
    53 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2W
    6
    Dual
    280 ns
    2 N-Channel (Dual)
    无卤素
    48nC @ 4.5V
    630ns
    24V
    47 μs
    13A
    12V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    11.5mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8693R-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    -
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.4W
    8
    -
    545 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    13nC @ 4.5V
    525ns
    24V
    22.2 μs
    14A
    12.5V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    e6
    8
    2
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    7m Ω @ 5A, 4.5V
    0.0091Ohm
    24V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
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