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首页 全部分类 EFC6604R-TR vs DMN1019UVT-7

EFC6604R-TR备选型号: DMN1019UVT-7

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  • 晶体管应用
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    EFC6604R-TR
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFBGA
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.6W
    BOTTOM
    BALL
    2
    Dual
    DEPLETION MODE
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    无卤素
    29nC @ 4.5V
    12V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    9mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1019UVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
    -
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    SILICON
    10.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    -
    50.4nC @ 8V
    12V
    10.7A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    10m Ω @ 9.7A, 4.5V
    800mV @ 250μA
    2588pF @ 10V
    ±8V
    0.01Ohm
    70A
    12V
    4.7 mJ
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