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首页 全部分类 EFC6604R-TR vs EMH2417R-TL-H

EFC6604R-TR备选型号: EMH2417R-TL-H

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  • 晶体管应用
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • ON Semiconductor
    EFC6604R-TR
    ON Semiconductor
    Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFBGA
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.6W
    BOTTOM
    BALL
    2
    Dual
    DEPLETION MODE
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    无卤素
    29nC @ 4.5V
    12V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    9mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EMH2417R-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH NCH 11A 12V EMH8
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    -
    8.9 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    1.3W
    -
    -
    2
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    -
    16nC @ 4.5V
    -
    11A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    e6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    未说明
    未说明
    470 ns
    1.3W
    10m Ω @ 5A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    1.6μs
    6.4 μs
    12V
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