EM6K1T2R备选型号: PMGD8000LN,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 系列
- 附加功能
- HTS代码
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 最大耗散功率(Abs)
- MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2006e2yes不用于新设计1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR9913Ohm锡铜30V150mWFLAT260100mA10*K16Dual增强型MOSFET150mW15 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING8 Ω @ 10mA, 4V1.5V @ 100μA13pF @ 5V35ns35 ns100mA20V0.1A30V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5 V500μm1.6mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP-表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-SILICON125mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997e3-Obsolete1 (Unlimited)6-EAR99-Tin (Sn)--鸥翼未说明-未说明-6-增强型MOSFET--2 N-Channel (Dual)SWITCHING8 Ω @ 10mA, 4V1.5V @ 100μA18.5pF @ 5V----0.125A--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门------ROHS3 Compliant-YESTrenchMOS™逻辑电平兼容8541.21.00.95R-PDSO-G6不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE200mW0.35nC @ 4.5V30V8Ohm30V0.2W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 3LP01M-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin MCP T/R | 对比 | |
![]() | PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 对比 |



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