ROHM Semiconductor EM6K1T2R

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

13Ohm

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

*K1

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13pF @ 5V

上升时间

35ns

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.5 V

高度

500μm

长度

1.6mm

宽度

1.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅