您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 EPC2106ENGRT vs BSP372NH6327XTSA1

EPC2106ENGRT备选型号: BSP372NH6327XTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • EPC
    EPC2106ENGRT
    EPC
    TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    1.7A
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2 N-Channel (Half Bridge)
    70mOhm @ 2A, 5V
    2.5V @ 600μA
    75pF @ 50V
    0.73nC @ 5V
    100V
    1.7A
    75pF
    GaNFET (Gallium Nitride)
    70 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP372NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    230m Ω @ 1.8A, 10V
    1.8V @ 218μA
    329pF @ 25V
    14.3nC @ 10V
    -
    1.8A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    4
    SILICON
    PG-SOT223-4
    e3
    4
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    5.1 ns
    无卤素
    6.7ns
    ±20V
    1.4V
    20V
    100V
    0.23Ohm
    100V
    150°C
    28 pF
    1.7mm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比
ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R 对比
FW389-TL-2W FW389-TL-2W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm 对比