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首页 全部分类 EPC2106ENGRT vs FW389-TL-2W

EPC2106ENGRT备选型号: FW389-TL-2W

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  • 输入电容
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2106ENGRT
    EPC
    TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    1.7A
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2 N-Channel (Half Bridge)
    70mOhm @ 2A, 5V
    2.5V @ 600μA
    75pF @ 50V
    0.73nC @ 5V
    100V
    1.7A
    75pF
    GaNFET (Gallium Nitride)
    70 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FW389-TL-2W
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N and P-Channel
    225m Ω @ 2A, 10V
    -
    490pF @ 10V
    10nC @ 10V
    100V
    2A
    -
    Logic Level Gate, 4V Drive
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.8W
    8
    2
    增强型MOSFET
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2A
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
    无铅
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