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首页 全部分类 EPC2106ENGRT vs ZXMN10A08DN8TA

EPC2106ENGRT备选型号: ZXMN10A08DN8TA

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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2106ENGRT
    EPC
    TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    1.7A
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    2 N-Channel (Half Bridge)
    70mOhm @ 2A, 5V
    2.5V @ 600μA
    75pF @ 50V
    0.73nC @ 5V
    100V
    1.7A
    75pF
    GaNFET (Gallium Nitride)
    70 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN10A08DN8TA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    1.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    250m Ω @ 3.2A, 10V
    2V @ 250μA (Min)
    405pF @ 50V
    7.7nC @ 10V
    -
    2.1A
    -
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    73.992255mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    EAR99
    250mOhm
    Matte Tin (Sn)
    100V
    1.8W
    鸥翼
    260
    2.1A
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2
    增强型MOSFET
    1.8W
    3.4 ns
    1.25W
    SWITCHING
    2.2ns
    2.2 ns
    20V
    100V
    9A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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