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首页 全部分类 ES6U3T2CR vs MCH6661-TL-W

ES6U3T2CR备选型号: MCH6661-TL-W

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  • 工厂交货时间
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    ES6U3T2CR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    Cut Tape (CT)
    2016
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    700mW
    未说明
    未说明
    30V
    1.4A
    70pF
    240 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6661-TL-W
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V
    7 Weeks
    表面贴装
    Tape & Reel (TR)
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    800mW
    未说明
    未说明
    30V
    1.8A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    7.512624mg
    2
    150°C TJ
    e6
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    Dual
    800mW
    3.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    188m Ω @ 900mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    88pF @ 10V
    2nC @ 10V
    3.6ns
    4 ns
    2.6V
    20V
    30V
    Logic Level Gate, 4V Drive
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无SVHC
    无铅
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