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ES6U3T2CR备选型号: MCH6663-TL-W
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- 生命周期状态
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- 操作温度
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- 端子位置
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- 配置
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- 场效应管类型
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT610 Weeks表面贴装Cut Tape (CT)2016yesDiscontinued1 (Unlimited)700mW未说明未说明30V1.4A70pF240 mΩROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH67 Weeks表面贴装Tape & Reel (TR)2012yes活跃1 (Unlimited)800mW--30V1.5A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)表面贴装6-SMD, Flat LeadsSILICON1.8A 1.5A-55°C~150°C TJe66Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUALR-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN and P-Channel188m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10VN-CHANNEL AND P-CHANNEL1.8A0.188Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4V Drive无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6663-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | 对比 |
| MCH6661-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V | 对比 |
 | SCH1436-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT563 | 对比 |
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