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ES6U3T2CR备选型号: SCH1436-TL-W
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- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT610 Weeks表面贴装Cut Tape (CT)2016yesDiscontinued1 (Unlimited)700mW未说明未说明30V1.4A70pF240 mΩROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT5639 Weeks表面贴装Tape & Reel (TR)-yesObsolete1 (Unlimited)---30V1.8A--符合RoHS标准表面贴装SOT-563, SOT-6661.8A Ta150°C TJe6Tin/Bismuth (Sn/Bi)N-Channel180m Ω @ 900mA, 10V2.6V @ 1mA88pF @ 10V2nC @ 10V±20V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCH6663-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | 对比 |
| MCH6661-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V | 对比 |
| SCH1436-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT563 | 对比 |
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