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FDB8878备选型号: FDB6030L
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- 最小工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
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- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
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MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-26348A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle47.3WN-Channel14mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1235pF @ 15V23nC @ 10V244ns30V±20V35.3 ns48A20V30V1.235nF14mOhm14 mΩ符合RoHS标准------ MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-48A Ta-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)--Single52WN-Channel13m Ω @ 26A, 10V3V @ 250μA1250pF @ 15V18nC @ 5V12ns-±20V12 ns48A20V30V---符合RoHS标准1.31247g201213MOhm52A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL3715SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | 对比 |
| FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
| IPB147N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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