FDB8878备选型号: IPB147N03LGATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-26348A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle47.3WN-Channel14mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1235pF @ 15V23nC @ 10V244ns30V±20V35.3 ns48A20V30V1.235nF14mOhm14 mΩ符合RoHS标准------------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--20A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™Obsolete1 (Unlimited)---31WN-Channel14.7m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1000pF @ 15V10nC @ 10V2.4ns30V±20V2 ns20A20V----符合RoHS标准SILICON2011no2EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN3.1 nsSWITCHING30V20 mJ无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL3715SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | 对比 |
![]() | FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB147N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |




哦! 它是空的。