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FDB8878备选型号: FDB7030BL
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-26348A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CSingle47.3WN-Channel14mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1235pF @ 15V23nC @ 10V244ns30V±20V35.3 ns48A20V30V1.235nF14mOhm14 mΩ符合RoHS标准------------------------------ Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-60A Ta-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)--Single60WN-Channel9m Ω @ 30A, 10V3V @ 250μA1760pF @ 15V24nC @ 5V12ns-±20V19 ns60A20V30V---ROHS3 CompliantLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)Tin1.31247gSILICON2003e3yes2EAR999MOhm逻辑电平兼容30V鸥翼未说明not_compliant60A未说明R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAIN12 nsSWITCHING1.9V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL3715SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | 对比 |
| FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
| IPB147N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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