FDC6392S备选型号: FDFC2P100
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- 生命周期状态
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- 安装类型
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 正向电流
- 阈值电压
- 达到SVHC
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-20VDUAL鸥翼-2.2ASingle增强型MOSFET960mW8 nsP-ChannelSWITCHING150m Ω @ 2.2A, 4.5V1.5V @ 250μA369pF @ 10V5.2nC @ 4.5V11ns20V±12V11 ns2.2A12V-20VSchottky Diode (Isolated)无ROHS3 Compliant无铅---
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66--3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006--Obsolete1 (Unlimited)---------1.5W-P-Channel-150m Ω @ 3A, 4.5V1.5V @ 250μA445pF @ 10V4.7nC @ 10V11ns20V±12V11 ns3A12V-20VSchottky Diode (Isolated)-符合RoHS标准-1mA-900mV无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6420C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV | 对比 | |
![]() | ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | 对比 |
| FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |



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