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FDC6392S备选型号: ZXMN2A01E6TA
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 电阻
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-20VDUAL鸥翼-2.2ASingle增强型MOSFET960mW8 nsP-ChannelSWITCHING150m Ω @ 2.2A, 4.5V1.5V @ 250μA369pF @ 10V5.2nC @ 4.5V11ns20V±12V11 ns2.2A12V-20VSchottky Diode (Isolated)无ROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET 20V N-Chnl UMOS-表面贴装表面贴装SOT-23-6614.996898mgSILICON2.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)20VDUAL鸥翼2.5ASingle增强型MOSFET1.7W2.49 nsN-ChannelSWITCHING120m Ω @ 4A, 4.5V700mV @ 250μA303pF @ 15V3nC @ 4.5V5.21ns-±12V5.21 ns3.1A12V20V-无ROHS3 Compliant无铅17 Weeks120mOhm低阈值26040611.3mm3.1mm1.8mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6420C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV | 对比 |
| ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | 对比 |
| FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |
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