FDD1600N10ALZD备选型号: DMC3021LK4-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5LLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD3260.37mgSILICON6.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yesObsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95鸥翼R-PSSO-G4Single增强型MOSFETDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 3.4A, 10V2.8V @ 250μA225pF @ 50V3.61nC @ 10V2ns±20V2 ns6.8A20V0.16Ohm100V5.08 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无符合RoHS标准---------------
- MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L-表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD53.949996gSILICON9.4A 6.8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2012e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼R-PSSO-G4-增强型MOSFET-2.5 nsN and P-Channel, Common DrainSWITCHING21m Ω @ 7A, 10V2.1V @ 250μA751pF @ 10V17.4nC @ 10V6.6ns-6.3 ns6.8A20V-30V----无ROHS3 Compliant15 WeeksHIGH RELIABILITY2.7WSINGLE26040DMC302142N-CHANNEL AND P-CHANNEL6.7A40AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 | 对比 |
![]() | FDD850N10LD | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSF N CH 100V 15.7A DPAK | 对比 |
![]() | FDD8424H-F085A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | 对比 |





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