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首页 全部分类 FDD5810 vs IRFR2607ZPBF

FDD5810备选型号: IRFR2607ZPBF

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
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  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDD5810
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    7.4A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    未说明
    35A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    37A
    TO-252AA
    20V
    7.4A
    0.022Ohm
    60V
    45 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR2607ZPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    75V
    -
    -
    42A
    -
    -
    -
    Single
    -
    110W
    -
    N-Channel
    -
    22m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 50μA
    1440pF @ 25V
    51nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    28 ns
    42A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    3
    HEXFET®
    2002
    SMD/SMT
    EAR99
    22MOhm
    14 ns
    4V
    75V
    2 V
    2.2606mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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