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FDD850N10LD备选型号: DMTH10H030LK3-13
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSF N CH 100V 15.7A DPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD3260.37mgSILICON15.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yesObsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95鸥翼R-PSSO-G4Single增强型MOSFETDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING75m Ω @ 12A, 10V2.5V @ 250μA1465pF @ 25V28.9nC @ 10V21ns±20V8 ns15.3A20V0.096Ohm100V46A41 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无符合RoHS标准---------
MOSFET NCH 100V 28A TO252-表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD--SILICON28A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3-Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)-鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING30m Ω @ 20A, 10V3.5V @ 250μA1871pF @ 50V33.3nC @ 10V-±20V-28A-0.045Ohm-50A85 mJ----ROHS3 Compliant27 WeeksHIGH RELIABILITYSINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE100V100V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC3021LK4-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L | 对比 |
 | FDD1600N10ALZD | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5L | 对比 |
| DMTH10H030LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | 对比 |
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