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首页 全部分类 FDG332PZ vs FDG410NZ

FDG332PZ备选型号: FDG410NZ

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  • 元素配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDG332PZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    95MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    750mW
    5.2 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    95m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    560pF @ 10V
    10.8nC @ 4.5V
    4.8ns
    ±8V
    4.8 ns
    2.6A
    -700mV
    8V
    20V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG410NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    28mg
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    70MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    420mW
    5.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 2.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    535pF @ 10V
    7.2nC @ 4.5V
    2.3ns
    ±8V
    -
    2.2A
    -
    8V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    未说明
    不合格
    70 pF
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