ON Semiconductor FDG410NZ
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FDG410NZ
1807-FDG410NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
FDG410NZ详情
ON Semiconductor FDG410NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
28mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
420mW Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
70MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
420mW
接通延迟时间
5.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 2.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
535pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.2nC @ 4.5V
上升时间
2.3ns
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
2.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDG410NZ拓展信息
ON Semiconductor
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