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首页 全部分类 FDG6313N vs FDG314P

FDG6313N备选型号: FDG314P

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  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    FDG6313N
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SC-88 (SC-70-6)
    500mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    25V
    300mW
    500mA
    Dual
    300mW
    300mW
    2 N-Channel (Dual)
    450mOhm @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    50pF @ 10V
    2.3nC @ 4.5V
    8.5ns
    25V
    8.5 ns
    500mA
    8V
    25V
    50pF
    逻辑电平门
    340mOhm
    450 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FDG314P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SC-88 (SC-70-6)
    650mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    -25V
    -
    -650mA
    -
    750mW
    -
    P-Channel
    1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    63pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    8ns
    25V
    8 ns
    650mA
    8V
    -25V
    63pF
    -
    1.1Ohm
    1.1 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    ±8V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDG6306P FDG6306P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 对比
FDG314P FDG314P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6 对比