ON Semiconductor FDG6313N
- 收藏
- 对比
FDG6313N
1807-FDG6313N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
--最小包装量--
FDG6313N详情
ON Semiconductor FDG6313N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
300mW
额定电流
500mA
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
功率 - 最大
300mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.3nC @ 4.5V
上升时间
8.5ns
漏源电压 (Vdss)
25V
下降时间(典型值)
8.5 ns
连续放电电流(ID)
500mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
25V
输入电容
50pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
340mOhm
最大rds
450 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDG6313N拓展信息








哦! 它是空的。