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首页 全部分类 FDG6313N vs FDG6306P

FDG6313N备选型号: FDG6306P

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  • 功率 - 最大
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDG6313N
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SC-88 (SC-70-6)
    500mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    25V
    300mW
    500mA
    Dual
    300mW
    300mW
    2 N-Channel (Dual)
    450mOhm @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    50pF @ 10V
    2.3nC @ 4.5V
    8.5ns
    25V
    8.5 ns
    500mA
    8V
    25V
    50pF
    逻辑电平门
    340mOhm
    450 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -20V
    300mW
    -600mA
    Dual
    300mW
    -
    2 P-Channel (Dual)
    420m Ω @ 600mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    114pF @ 10V
    2nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    14 ns
    600mA
    12V
    -20V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    28mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    6
    EAR99
    鸥翼
    增强型MOSFET
    5.5 ns
    SWITCHING
    -1.2V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    1.1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
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