FDG6313N备选型号: FDG6321C
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 操作模式
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SC-88 (SC-70-6)500mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C25V300mW500mADual300mW300mW2 N-Channel (Dual)450mOhm @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA50pF @ 10V2.3nC @ 4.5V8.5ns25V8.5 ns500mA8V25V50pF逻辑电平门340mOhm450 mΩ符合RoHS标准无铅----------------------
- Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-500mA 410mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017活跃1 (Unlimited)---300mW500mADual300mW-N and P-Channel450m Ω @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA50pF @ 10V2.3nC @ 4.5V8ns-8 ns500mA8V25V-逻辑电平门--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin28mgSILICONe3yes6EAR99450mOhm逻辑电平兼容鸥翼增强型MOSFETSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL800mV0.5AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C1.1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG6306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 | 对比 |
![]() | FDG314P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6 | 对比 |



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