FDMC4435BZ-F126备选型号: DMP3036SSS-13
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -18A, 20mOACTIVE (Last Updated: 6 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN88.5A Ta 18A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)31WP-Channel20m Ω @ 8.5A, 10V3V @ 250μA2045pF @ 15V46nC @ 10V30V±25V18A-30VROHS3 Compliant----------------
- MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO-23 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)819.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)-P-Channel20m Ω @ 9A, 10V3V @ 250μA1931pF @ 15V16.5nC @ 10V30V±25V19.5A-ROHS3 CompliantSILICON2015e38EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING11.4A0.02Ohm30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerVDFN | INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
![]() | IRLHS6342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN | 对比 |
![]() | IPB147N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |





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