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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.484991
10
¥7.061314
100
¥6.661612
500
¥6.284539
1000
¥5.928811
ON Semiconductor FDMC4435BZ-F126
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FDMC4435BZ-F126
1807-FDMC4435BZ-F126
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
大陆
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P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -18A, 20mO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMC4435BZ-F126详情
ON Semiconductor FDMC4435BZ-F126重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.5A Ta 18A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 31W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率耗散
31W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2045pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
46nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
18A
漏源击穿电压
-30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC4435BZ-F126拓展信息
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