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首页 全部分类 FDMC4435BZ-F126 vs IPB147N03LGATMA1

FDMC4435BZ-F126备选型号: IPB147N03LGATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC4435BZ-F126
    ON Semiconductor
    P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -18A, 20mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    8.5A Ta 18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    31W
    P-Channel
    20m Ω @ 8.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2045pF @ 15V
    46nC @ 10V
    30V
    ±25V
    18A
    -30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB147N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    31W
    N-Channel
    14.7m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1000pF @ 15V
    10nC @ 10V
    30V
    ±20V
    20A
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    2011
    no
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.1 ns
    SWITCHING
    2.4ns
    2 ns
    20V
    30V
    20 mJ
    无
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