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首页 全部分类 FDMC4435BZ-F126 vs IRLHS6342TRPBF

FDMC4435BZ-F126备选型号: IRLHS6342TRPBF

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  • 端子位置
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC4435BZ-F126
    ON Semiconductor
    P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -18A, 20mO
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    8.5A Ta 18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    31W
    P-Channel
    20m Ω @ 8.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2045pF @ 15V
    46nC @ 10V
    30V
    ±25V
    18A
    -30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    8.7A Ta 19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.1W
    N-Channel
    15.5m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1019pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    -
    ±12V
    8.7A
    30V
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2011
    e3
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.9 ns
    SWITCHING
    13ns
    13 ns
    12V
    1.1 V
    950μm
    2.1mm
    2.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
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