FDMC8588备选型号: FDMS0312AS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN832.13mgSILICON16.5A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALR-PDSO-N5Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 17A, 10V1.8V @ 250μA1228pF @ 13V12nC @ 4.5V3ns±12V2 ns17AMO-240BA12V16.5A0.005Ohm25V60A29 mJ1mm3.4mm3.4mm无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/ServerACTIVE (Last Updated: 2 days ago)26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN874mgSILICON18A Ta 22A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUALR-PDSO-F5Single增强型MOSFETDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 18A, 10V3V @ 1mA1815pF @ 15V31nC @ 10V2.3ns±20V6 ns18AMO-240AA20V22A0.005Ohm30V100A33 mJ1mm6mm5mm-ROHS3 Compliant-TinFLAT未说明not_compliant未说明
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH4234TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 22A PQFN | 对比 |
| NVTFS4C06NTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM | 对比 |



哦! 它是空的。