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首页 全部分类 FDMD8280 vs DMN62D0LFB-7

FDMD8280备选型号: DMN62D0LFB-7

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 已出版
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  • 引脚数量
  • 功率耗散
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8280
    ON Semiconductor
    PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    15 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    3050pF @ 40V
    44nC @ 10V
    12ns
    80V
    8.9 ns
    11A
    20V
    80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN62D0LFB-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    -
    SILICON
    100mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 100mA, 4V
    1V @ 250μA
    32pF @ 25V
    0.45nC @ 4.5V
    3.4ns
    60V
    16.3 ns
    100mA
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Gold
    2011
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    3
    470mW
    ±20V
    2Ohm
    60V
    6 pF
    无SVHC
    无
    无铅
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